小型熔煉爐并聯(lián)逆變器的直流輸A端串接有足夠大的電抗器，可防止逆變失敗時(shí)產(chǎn)生過大的電流。短時(shí)間內(nèi)，通過將整流器轉(zhuǎn)換成逆變工作進(jìn)行斷電，同時(shí)儲存在反應(yīng)器中的能量又返回到電嘲。但串聯(lián)逆變時(shí)，多采用不控整流器，輸入功率只能通過一個(gè)附加的快速斷路器切斷，濾波電容中的能量無法返回到電網(wǎng)。為了防止逆變失敗，儲存在電容器中的能量全部以熱的形式傳遞給可控硅，必須采取措施r&,r&在逆變器中增加電流，使電容器對電阻放電。對調(diào)諧電容器也需要采取類似的措施。很明顯，串聯(lián)逆變保護(hù)裝置較為復(fù)雜，但附加保護(hù)裝置，幾乎與系統(tǒng)容量無關(guān)。一般說來，大容量逆變器采用串聯(lián)逆變比較經(jīng)濟(jì)，而小熔煉爐容量小時(shí)，可選擇甩并聯(lián)逆變臺適。

小熔爐串并聯(lián)遞變器優(yōu)于并聯(lián)逆變器，即使工作頻率很高，也很容易啟動。由于串聯(lián)電容提供與電流相關(guān)的換向能力，它與負(fù)載電壓的幅度無關(guān)。選取，在任何輸出電壓下，逆變器可以轉(zhuǎn)換全負(fù)荷額定電流。不利之處在于，單固定串聯(lián)電容串聯(lián)的固定容量，在一定程度上限制了其工作頻率范圍(通常限于1,7~1)。

應(yīng)該指出的是，在任意選擇的小爐子工作頻率下，只要換向重疊時(shí)間是一定的，并且加入觸發(fā)脈沖可以保證SCR有一定的承受反壓時(shí)間，那末串聯(lián)電容值的大小，在相當(dāng)大的范圍內(nèi)對可控硅的利用率沒有什么影響。并且這種利用率與采用并聯(lián)補(bǔ)償逆變器線路大致相同。所以，一組晶閘管在一定的工作頻率下產(chǎn)生多大的功率輸出，與串聯(lián)電容的大小基本無關(guān)。但當(dāng)頻率降低到某一設(shè)計(jì)值以下時(shí)，若輸出電壓和功率保持不變，則可控硅的峰值電壓可能會增加。串聯(lián)電容的電壓隨頻率降低而升高，從而使SCR電壓升高。C串聯(lián)電容式。數(shù)值越小，晶閘管電壓升高越快。如果需要，可對小熔煉爐逆變器進(jìn)行脈沖定時(shí)控制，使串聯(lián)電容電壓與負(fù)載電壓之間的相位關(guān)系能夠在一定程度上改變，從而使可控硅電壓在不列頻率的情況下降低。